我公司在2019年底的技术总结大会

    去年在电子器件大会上的周日晚上，市场研究数据和报告公司举行了招待会，公司董事长姚笛和技术总监窦唯进行了演讲，吸引了众多会议参与者。首先是姚笛，她的演讲是关于“苹果艾米科技十年历程和半导体技术的创新”，然后是窦唯和大家讨论了“存储过程，摄像头干扰器设计和体系结构：公司今天的状况和明天的发展前景”。

 

   笛总简单回顾了公司近年的新品出品及其功能部件的顺序开发情况。我们往往会忘记第一个没有摄像头、指纹传感器、面部识别等功能的监控屏蔽器，因此这绝对是一次记忆之旅。窦唯提出了对逆向工程专家所看到的最新内存技术的评论，并相当详细的总结了他们最近的分析，我希望在本文中进行介绍。高露是该公司的高级技术研究员，并且是存储器技术的主题专家。在加入市场研究数据和报告之前，他曾担任SK海力士和三星在研发下一代存储设备方面的研发团队负责人，因此他知道自己的讲话方向。我们从摄像头屏蔽器的闪存入手，排名前六的制造商的市场份额分别为三星36％，东芝19％，西部数据（WD）15％，美光13％，SK海力士11％和英特尔6％，截至2018年11月。

 

    公司每年都会发布内存电路图，以下是新一代摄像头闪存的更电路线图。您可以看到，我们现在进入了具有4层单元的1z-nm平面闪存（大约13-14 nm，大约1y约为15 nm）和约96层3D闪存的时代。该电路图基于已发布的预测，但是我很难相信，仅仅三年，我们将达到200多个层。

 

   监控干扰器底部是过去几年中的技术演进，首先是控制栅极从平面器件中的硅化物过渡到钨。然后，当我们得到小于20 nm的特征尺寸时，我们便从双重图案过渡到四重图案。我们看到气隙得到了广泛的采用（实际上，美光公司是在25纳米世代开始的），随着15/16纳米平面零件的全面投产，3D / V-NAND产品也随之推出。它们使用两种存储技术：电荷陷阱（将电荷存储在氮化硅层上，三星，东芝/ WD和SK海力士）和浮栅（美光/英特尔）。