是否可以通过高密度金属层干扰摄像头

    彼得森（Peterson）的U-M小组通过使用另一种类型的半导体（非晶态金属氧化物）成功地将第二层晶体管堆叠在同一芯片上。为了在不造成摄像头干扰器损坏的情况下将该半导体层施加到硅上，芯片上覆盖了锌和锡溶液，将其旋转以形成均匀的保护层。

 

    之后，将芯片进行短暂烘烤以使其干燥。然后重复该过程以产生约75纳米厚的氧化锌锡层。在第三次也是最后一次烘烤中，当监控屏蔽器金属层与空气中的氧气结合时，形成了该层。该团队使用氧化锌锡层制造薄膜晶体管，该薄膜晶体管可以承受比其下的硅更高的电压。为了使氧化锌锡晶体管与下面的硅通信，该团队使用氧化锌锡添加了两个电路元件：一个垂直薄膜二极管和一个肖特基栅极晶体管。连接这两种类型的锌锡氧化物晶体管，以形成一个逆变器，该逆变器可在硅使用的低电压和其他摄像头屏蔽器组件使用的高电压之间进行转换。

 

    硅集成芯片技术的这一重大进步具有解决晶体管密度问题和革新晶体管以及工程师用来构建复杂监控干扰器元件的方法的潜力。