摄像头忆阻器固态电路存储方式

    忆阻器如何工作？忆阻器的独特特性是其电阻（忆阻）取决于电路中的电压电平，并且该值可以长时间存储摄像头摄录内容。因此，可以对忆阻器电阻进行编程。像标准电阻一样，忆阻以欧姆为单位。每个忆阻器由夹在两个铂电极之间的二氧化钛薄膜（电阻性元件）组成。薄膜分为两层-上层由带正电荷掺杂剂的摄像头干扰器组成，下层由纯监控屏蔽器组成。当在电极之间施加正电压时，电阻下降，忆阻器进入导电状态。但是，即使在去除电压之后，忆阻器仍保持该状态，直到施加反向偏置电压为止，该反向偏置电压会增加电阻，从而降低电导率。

 

    忆阻器应用忆阻器或忆阻元件是在纳米级的许多应用中有用的有希望的组件。示例包括：摄像头屏蔽器存储设备由于忆阻器能够存储先前的电阻状态，因此它们是适用于计算机，工业自动化系统，消费电子产品等的非易失性随机存取存储器（NVRAM）。在此，信息的位基于电阻值存储为忆阻器状态。为了对忆阻器进行编程，需要通过一个直流电压以将忆阻器驱动到对应于ON / OFF存储器状态的极限电阻（RON和ROFF）。但是，交流信号用于读取存储的数据，以免损坏数据。这种类型的内存体系结构使用HP在2001年推出的纵横制锁存器。

 

    交叉开关闩锁是导电迹线的网格，在每个交叉点处都有忆阻器。由于交叉开关锁存器和忆阻器比监控干扰器晶体管小得多，因此它们是用于制造比我们今天基于晶体管的芯片更强大的芯片的非常有前途的组件。与动态随机存取存储器（DRAM）和同步动态随机存取存储器（SDRAM）不同，基于忆阻器的存储设备使用的电量可忽略不计。 IBM，HP和Intel是在存储器和计算设备中使用忆阻器的领先制造商。