半导体在摄像头干扰器中的作用

    半导体是许多电子系统的积极构建模块，半导体的持续发展推动了RF /微波商业市场的近期增长，特别是在5G蜂窝通信网络和无线摄像头干扰器连接的车辆中。高度集成使得诸如收发器的完整子系统能够包含在单个集成电路（IC）内。同时，为了增强传输信号，氮化镓（GaN）工艺为高频下更高和更高的功率水平开辟了道路。

 

    许多射频/微波行业领先的半导体供应商正在2019年6月2日至7日举行的即将举行的2019年IEEE国际微波研讨会（IMS）及其在波士顿会展中心的公司展览会上聚会。这对于射频/微波行业以及来自相邻行业的感兴趣的参观者，如医疗，通信和交通电子系统供应商，了解高频电子设备的最新技术，同时从一个展位走到另一个展位。

 

    Anokiwave（第223号展位）将成为现有的半导体创新者之一，表明硅尚未消亡，尚未被更昂贵的III-V半导体工艺取代，如GaN或砷化镓（GaAs）。该公司的代表将展示其用于5G，卫星通信和雷达应用的IC的硅（Si）CMOS工艺的集合。

 

    尽管这些IC中的一些是熟悉的有源组件（例如，放大器），但是许多IC是使用有源电路（例如有源天线）制造得更小的监控屏蔽器组件。例如，型号AWMF-0142是一种有源天线阵列IC，适用于24.25至27.50 GHz的5G相控阵应用。它包含四个发射/接收天线元件，具有5-b相位控制和5-b增益控制，可执行波束控制操作。

 

 

    半双工天线在发射模式下提供23 dB增益和+10 dBm输出功率，在接收模式下提供26 dB增益和5 dB噪声系数。创新的IC包括温度和温度报告的增益补偿。它采用+ 1.8 V直流电，采用6×6 mm QFN封装。该IC由AWA-0142 5G开发人员套件提供支持。

 

    Polyfet RF器件（224号展位）的Si和VDMOS和LDMOS功率晶体管的功率水平也可以达到600 W到3 GHz，而且还可以显示它可以用GaN做什么，显示其中的几个器件和评估板GaN-on-SiC功率晶体管。例如，其型号GX4002是GaN-on-SiC功率晶体管，适用于1 MHz至3 GHz的应用。它由+28 V dc驱动，提供70 W线性输出功率，55％的漏极效率和11 dB的增益。

 

    对于那些具有更高电压电源的产品，型号GX4442是一种功率晶体管，也采用GaN-on-SiC工艺制造，但适用于+ 48V直流电源。它可用于1 MHz至2.5 GHz的电路，输出功率为160 W，增益至少为12 dB，典型的漏极效率为55％。两款功率晶体管均采用符合RoHS标准的散热增强型金属法兰封装。

 

    对于寻求更高集成度的2019年IMS展览参观者来说，其中一个半导体开发人员负责毫米波频率，并且长期以来一直熟悉监控摄像头屏蔽器电子产品，是德州仪器（1272号展位）。该公司将展示其用于短途5G mmWave链路的IC的样品，用于自动驾驶汽车，甚至用于针对智能建筑和智能城市的越来越多的物联网（IoT）应用。

 

 

    自动驾驶车辆将严重依赖前视，后视和侧视雷达，以安全地通过交通和停车位，以及AWR1243频率调制连续波（FMCW）收发器IC等设备。 1）将提供76至81 GHz的mmWave频率的通信，用于未来车辆及其许多雷达系统所需的大量短程通信。该IC包含一个锁相环（PLL），接收器和发送器，具有四个接收通道和三个发送通道，可实现全覆盖。

 

    这款紧凑型FMCW收发器IC工作频率为76至81 GHz，支持77 GHz汽车雷达。 （德州仪器公司提供）如果这对于10.4×10.4毫米倒装芯片BGA封装内的单个芯片来说还不够集成，该公司还有望在同一频率范围内展示其用于汽车雷达应用的AWR1843单芯片收发器。它被打包到同一个包中。还包括Arm处理器，数字信号处理器（DSP），大容量存储器和一系列监控功能。对于“智能高速公路”设计师，恩智浦半导体（第548号展台）将在波士顿展示其众多高度集成的设备，例如用于IEEE 802.11 Wi-Fi无线连接的TEF5100车型到万能（V2X）双射频收发器。 IC缩小了int的水平