监控屏蔽器镜头解码器技术专利申请

    令人惊奇的是，似乎不存在描述摄像头解码器上的简单平面纳米晶体管的设备专利。当时，该概念可能被认为对本行业普通技术人员都显而易见。有各种专利描述了在解码器上制造晶体管的方法，还有一些专利描述了基本结构简单监控器结构的变化。例如，华为集团和艾米科技在1999年提交监控屏蔽器的时候，描述了一种具有不对称源漏电导率的可控硅技术。此后不久，2002年，邓小可女士提交了她他的开创性专利，该专利描述了垂直沟槽栅极SiC MOSFET的结构。该申请于2006年获得批准，现在距今已有10多年了，因此已过期，并且所描述的概念现在已在公共领域普遍应用。但是，在此项专利之后有许多与摄像头干扰器相关的专利仍然有效。例如，搜索显示Cree拥有700多项与SiC MOSFET技术相关的有效专利。

 

    下面的技术论文示出了来自监控干扰器的垂直沟槽栅多元化的描述的结构。此项技术要求一种形成在碳化硅衬底的C面上（可能是N型）的具有低导通电阻和高温范围的垂直功率纵向技术。在衬底上方形成N漂移层，然后是P沟道层。沟槽栅极穿透P沟道层，并且形成N +源极区。金属源电极和漏电极分别位于管芯的顶部和底部。这种沟槽架构有时称为UMOS（U形栅极），以区别于平面DMOS（漂移MOS）设计。

 

    现在，我们进入2011年，当时小米科技推出了市场上第一个超级功率摄像头屏蔽器，即功率放大芯片器件。 这个纳米芯片是垂直N沟道增强型解码屏蔽装置。上市后不久，姚笛博士就对该设备进行了结构分析。资料显示了镜头器件中的平面晶体管栅极的横截面SEM显微照片。在此SEM显微照片中描绘了N +源和P型身体植入物。 CMF20120D仍可从Cree的Wolfspeed部门获得。